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三星、SK 海力士 2016 年激战 18 奈米 DRAM

来源:申博官网备用网址_申博667878     2020-06-14 11:47:01     阅读次数:724

三星、SK 海力士 2016 年激战 18 奈米 DRAM

三星电子、SK 海力士(SK Hynix)与美光(Micron Technology)预料都会在 2016 年开始量产 18 奈米製程技术的 DRAM,下一个目标则将瞄準 10 奈米。

BusinessKorea 13 日报导,三星、SK 海力士在量产 18 奈米 DRAM 之后,打算运用 ASML 製造的极紫外光(EUV)微影设备,目标是在 2020 年将 DRAM 製程技术逐步从 15 奈米进一步演进至 10 奈米。美光也打算在一年内对日本广岛厂注资 1,000 亿日圆(相当于 8.34 亿美元),量产 16 奈米製程 DRAM,产量可较 20 奈米製程多出 20-30%,对三星与 SK 海力士构成威胁。

不过,想要克服 20 奈米製程的限制,则必须改变介电层的设计,才能使用原子结构比现有的分子结构更为紧密的材料,而美光目前还未取得相关技术,也让市场专家对美光的野心产生怀疑。另外,若想要导入 16 奈米製程技术,美光也需购入每台要价 1,000 亿韩圜(8,700 万美元)的 EUV 设备,该公司对日本的投资额还不太够,而 ASML 每年也仅能生产 7-8 台 EUV 设备。

相较之下,三星打算在明年下半年开始量产 18 奈米 DRAM,并计划将 DRAM 的製程技术从 18 奈米演进至 15 奈米、并于 2020 年进一步拉升至 10 奈米。SK Hynix 在今年第 3 季成功量产 20 奈米 DRAM 之后,将在明年第 1 季研发 18 奈米技术,希望最快能赶在明年下半年量产 18 奈米 DRAM。业界消息人士指出,三星在 20 奈米 DRAM 与竞争对手保持了一年(甚至更多)的差距,但在 10 奈米预料会面临对手竞争。

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